消息称三星正在开发新一代“缓存DRAM”技术:较HBM能效提升60% 数据移动延迟降低50%

据韩媒报道,三星电子先进封装(AVP)事业组正着手新一代DRAM技术「Cache DRAM」,目标2025年开始量产。据悉,该项技术与既有HBM相比,Cache DRAM功耗效率将改善60%,数据移动延迟将减少50%。

据韩媒报道,三星电子先进封装(AVP)事业组正着手新一代DRAM技术「Cache DRAM」,目标2025年开始量产。据悉,该项技术与既有HBM相比,Cache DRAM功耗效率将改善60%,数据移动延迟将减少50%。

在封装技术上,Cache DRAM与HBM也有较大区别,HBM目前是水平连接至GPU,但Cache DRAM将垂直连接于GPU。消息称Cache DRAM仅需一个芯片就能存储一个HBM的数据量。

值得观察的是,三星为发展先进封装技术,不仅一年内投资超过2兆韩元(约合15亿美元)增设封装产线,2023年也新设AVP事业组,加速追赶台积电等竞争对手。

相关人士认为,随着实现先进制程愈来愈困难,3D封装将成为半导体业者竞争力关键,而三星若要2030年实现系统半导体第一目标,势必得投资封装技术。

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